Hochschulschrift
Dünnschichttransistoren mit laserkristallisiertem Silizium für integrierte Schaltungen auf Glas
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
XX, 229 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Karlsruhe, Univ., Diss., 2002 (Nur beschränkt für den Austausch)
- Schlagwort
-
Dünnschichttransistor
Substrat
Glas
Silicium
Kristallisation
Laserinduziertes Verfahren
Schieberegister
Dünnschichttransistor
Silicium
Polykristall
Kristallisation
Excimerlaser
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:03 MESZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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