Hochschulschrift
Ein analytisches Modell zur Simulation von Silizium-Germanium Heterojunction-Bipolartransistoren in integrierten Schaltungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Bochum, Univ., Diss., 2001
- Schlagwort
-
Silicium
Germanium
Heterobipolartransistor
Mixed-level-Simulation
Parameteridentifikation
Hochstrom
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:294-6355
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:37 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
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