Hochschulschrift
Epitaxie aus der Sn- reichen GaAs-Schmelze : Wachstumsprozess und Einbaumechanismus.
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
8°
- Umfang
-
VI, 127 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Aachen, Techn. Hochsch., Fak. f. Elektrotechnik, Diss. 1973.
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:11 MEZ
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Objekttyp
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