Hochschulschrift
Ein physikalisch begründetes SOI-Transisitormodell für die Schaltungssimulation
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783183243099
3183243091
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
X, 197 S.
- Edition
-
Als Ms. gedr.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Zugl.: München, Univ., Diss.
- Bibliographic citation
-
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 243, Reihe 9
- Keyword
-
MOS-FET
SOI-Technik
Elektrische Eigenschaft
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Düsseldorf
- (who)
-
VDI-Verl.
- (when)
-
1997
- Creator
-
Seitz, Stefan
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:10 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Seitz, Stefan
- VDI-Verl.
Time of origin
- 1997
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Physikalische Grundlagen integriert optischer Gassensensoren : absorptive und refraktive Effekte
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Physikalische Vorgänge bei der Regenerierung des Filtermediums in Schlauchfiltern mit Druckstossabreinigung
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