Hochschulschrift
Ein physikalisch begründetes SOI-Transisitormodell für die Schaltungssimulation
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783183243099
3183243091
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
X, 197 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: München, Univ., Diss.
- Erschienen in
-
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 243, Reihe 9
- Schlagwort
-
MOS-FET
SOI-Technik
Elektrische Eigenschaft
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Düsseldorf
- (wer)
-
VDI-Verl.
- (wann)
-
1997
- Urheber
-
Seitz, Stefan
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:10 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Seitz, Stefan
- VDI-Verl.
Entstanden
- 1997
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