Electrostatic self-assembly of diamond nanoparticles onto Al- and N-polar sputtered aluminum nitride surfaces
Abstract: Electrostatic self-assembly of diamond nanoparticles (DNPs) onto substrate surfaces (so-called nanodiamond seeding) is a notable technique, enabling chemical vapor deposition (CVD) of nanocrystalline diamond thin films on non-diamond substrates. In this study, we examine this technique onto differently polarized (either Al- or N-polar) c-axis oriented sputtered aluminum nitride (AlN) film surfaces. This investigation shows that Al-polar films, as compared to N-polar ones, obtain DNPs with higher density and more homogeneously on their surfaces. The origin of these differences in density and homogeneity is discussed based on the hydrolysis behavior of AlN surfaces in aqueous suspensions
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Nanomaterials. - 6, 11 (2016) , 217, ISSN: 2079-4991
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Freiburg
- (wer)
-
Universität
- (wann)
-
2020
- Urheber
-
Yoshikawa, Taro
Reusch, Markus
Zürbig, Verena
Cimalla, Volker
Lee, Kee-Han
Kurzyp, Magdalena
Arnault, Jean-Charles
Nebel, Christoph E.
Ambacher, Oliver
Lebedev, Vadim
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Professur für Leistungselektronik
- DOI
-
10.3390/nano6110217
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:25-freidok-1724070
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:33 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Yoshikawa, Taro
- Reusch, Markus
- Zürbig, Verena
- Cimalla, Volker
- Lee, Kee-Han
- Kurzyp, Magdalena
- Arnault, Jean-Charles
- Nebel, Christoph E.
- Ambacher, Oliver
- Lebedev, Vadim
- Professur für Leistungselektronik
- Universität
Entstanden
- 2020
Ähnliche Objekte (12)
Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan : vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier : = Mikrosystem: Gallium Nitride HF Breitband Hochleistungsverstärker
Aluminium scandium nitride grown by metalorganic chemical vapour deposition
Analysis of the potential of gallium nitride based monolithic power amplifiers in the microwave domain with more than an octave bandwidth : = Untersuchung des Potenzials von Galliumnitrid-basierten monolithisch integrierten Leistungsverstärkern im Mikrowellenbereich mit mehr als einer Oktave Bandbreite
A comprehensive review of yttrium aluminum nitride: crystal structure, growth techniques, properties, and applications
Toward ultra-thin nanocrystalline diamond film growth: electrostatic self-assembly of non-aggregated diamond nanoparticles onto substrate surfaces
Micro-system: Gallium Nitride RF-broad-band high-power amplifier
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Evaluierung elastischer Eigenschaften von Mikro- und Nanostrukturen
Biofunktionalisierung und -sensorik mit AlGaN/GaN-Feldeffekttransistoren
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications : = AlGaN/GaN Hochleistungstransistoren für industrielle, wissenschaftliche und medizinische Anwendungen
Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan : vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier : = Mikrosystem: Gallium Nitride HF Breitband Hochleistungsverstärker
Aluminium scandium nitride grown by metalorganic chemical vapour deposition
Analysis of the potential of gallium nitride based monolithic power amplifiers in the microwave domain with more than an octave bandwidth : = Untersuchung des Potenzials von Galliumnitrid-basierten monolithisch integrierten Leistungsverstärkern im Mikrowellenbereich mit mehr als einer Oktave Bandbreite
A comprehensive review of yttrium aluminum nitride: crystal structure, growth techniques, properties, and applications
Toward ultra-thin nanocrystalline diamond film growth: electrostatic self-assembly of non-aggregated diamond nanoparticles onto substrate surfaces
Micro-system: Gallium Nitride RF-broad-band high-power amplifier
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Evaluierung elastischer Eigenschaften von Mikro- und Nanostrukturen
Biofunktionalisierung und -sensorik mit AlGaN/GaN-Feldeffekttransistoren
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications : = AlGaN/GaN Hochleistungstransistoren für industrielle, wissenschaftliche und medizinische Anwendungen
Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan : vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier : = Mikrosystem: Gallium Nitride HF Breitband Hochleistungsverstärker
Aluminium scandium nitride grown by metalorganic chemical vapour deposition
Analysis of the potential of gallium nitride based monolithic power amplifiers in the microwave domain with more than an octave bandwidth : = Untersuchung des Potenzials von Galliumnitrid-basierten monolithisch integrierten Leistungsverstärkern im Mikrowellenbereich mit mehr als einer Oktave Bandbreite
A comprehensive review of yttrium aluminum nitride: crystal structure, growth techniques, properties, and applications
Toward ultra-thin nanocrystalline diamond film growth: electrostatic self-assembly of non-aggregated diamond nanoparticles onto substrate surfaces
Micro-system: Gallium Nitride RF-broad-band high-power amplifier
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Evaluierung elastischer Eigenschaften von Mikro- und Nanostrukturen
Biofunktionalisierung und -sensorik mit AlGaN/GaN-Feldeffekttransistoren
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich