Classification of defective regions in p-type multicrystalline silicon by comparing luminescence images measured under different conditions

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Krain, R.; Beljakova, S.; Herlufsen, S.; Krieger, M.; Schmidt, J.: Classification of defective regions in p-type multicrystalline silicon by comparing luminescence images measured under different conditions. In: Energy Procedia 38 (2013), S. 101-107. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2013.07.255

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Hannover
(wer)
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
(wann)
2013
Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Hannover
(wer)
Technische Informationsbibliothek (TIB)
(wann)
2013
Urheber
Krain, Rafael
Beljakova, Svetlana
Herlufsen, Sandra
Krieger, Michael
Schmidt, Jan

DOI
10.15488/4041
URN
urn:nbn:de:101:1-2020081207293993976726
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:58 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Krain, Rafael
  • Beljakova, Svetlana
  • Herlufsen, Sandra
  • Krieger, Michael
  • Schmidt, Jan
  • Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
  • Technische Informationsbibliothek (TIB)

Entstanden

  • 2013

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