Silicon surface passivation by Al2O3: Recombination parameters and inversion layer solar cells

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Werner, F.; Cosceev, A.; Schmidt, J.: Silicon surface passivation by Al2O3: Recombination parameters and inversion layer solar cells. In: Energy Procedia 27 (2012), S. 319-324. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2012.07.070

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Hannover
(wer)
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
(wann)
2012
Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Hannover
(wer)
Technische Informationsbibliothek (TIB)
(wann)
2012
Urheber
Werner, Florian
Cosceev, A.
Schmidt, Jan

DOI
10.15488/1368
URN
urn:nbn:de:101:1-2020071506181879733201
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:53 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Werner, Florian
  • Cosceev, A.
  • Schmidt, Jan
  • Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
  • Technische Informationsbibliothek (TIB)

Entstanden

  • 2012

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