Hochschulschrift
Niedertemperatur-Silicium-Epitaxie durch plasmaunterstützte chemische Abscheidung aus der Gasphase
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
138 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
München, Techn. Univ., Diss., 1995
- Schlagwort
-
Silicium
Epitaxieschicht
PECVD-Verfahren
- Urheber
-
Ratz, Günter
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:13 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Ratz, Günter
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