Hochschulschrift

Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie an den kristallin-amorphen Grenzflächen c-Si/a-Ge und c-Si/a-SiO2

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783897122369
3897122367
Maße
21 cm
Umfang
112 S.
Ausgabe
1. Aufl.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Göttingen, Univ., Diss., 1998

Schlagwort
Silicium
Kristallfläche
Germanium
Amorpher Halbleiter
Durchstrahlungselektronenmikroskop
Silicium
Kristallfläche
Siliciumdioxid
Amorpher Halbleiter
Durchstrahlungselektronenmikroskop

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Göttingen
(wer)
Cuvillier
(wann)
1998
Urheber

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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:43 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 1998

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