Hochschulschrift

Hochauflösende Elektronenspektroskopie an Si-, Ge- und GaAs-Oberflächen

zu Verbundenen Objekten

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
57, 21 S.
Ausgabe
Als Ms. gedr.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
21 graph. Darst.;
Zugleich: Aachen, Techn. Hochsch., Math.- Naturwiss. Fak., Diss. 1975.

Erschienen in
Berichte der Kernforschungsanlage Jülich / Kernforschungsanlage Jülich des Landes Nordrhein-Westfalen ; Nr. 1179 : Inst. f. Grenzflächenforschung u. Vakuumphysik

Schlagwort
Elektronenspektroskopie
Kristalloberfläche
Silizium
Germanium
Galliumarsenid
Elektronenspektrometrie
Oberflächenchemie
Elektronenspektroskopie
Kristalloberfläche
Silicium
Germanium
Galliumarsenid
Elektronenspektrometer
Oberflächenchemie

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Jülich
(wer)
Zentralbibliothek d. Kernforschungsanlage Jülich GmbH
(wann)
1975
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:42 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 1975

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