Hochschulschrift
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
30 cm
- Extent
-
140, [15] S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 2001 (Nicht für den Austausch)
- Keyword
-
Germanium
Silicium
Mischkristall
Epitaxieschicht
Silicium
Halbleitersubstrat
Epitaxieschicht
Schichtwachstum
Versetzung
Röntgentopographie
- Creator
-
Pfeiffer, Jens-Uwe
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:54 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Pfeiffer, Jens-Uwe
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