Hochschulschrift
Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Dresden, Technische Universität Dresden, Diss., 2010
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Flash-Speicher
Zelle
MOS-FET
Speicherzelle
Elektrode
Programmierung
Floating-Gate-Struktur
Transistor
n-Kanal-FET
Speicher
MOS-Speicher
Nichtflüchtiger Speicher
Flash-Speicher
Elektrischer Speicher
Speicherzelle
Speicherung
Speicherschaltung
Speicherkapazität
Speicherelement
Feldeffekttransistor
MOS-FET
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Dresden
- (wer)
-
Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
- (wann)
-
2012
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Dresden
- (wer)
-
Technische Universität Dresden
- (wann)
-
2012
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Mikolajick, Thomas
Meinerzhagen, B.
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-84301
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:39 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Melde, Thomas
- Mikolajick, Thomas
- Meinerzhagen, B.
- Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
- Technische Universität Dresden
Entstanden
- 2012
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