Hochschulschrift
Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Dresden, Technische Universität Dresden, Diss., 2010
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
Flash-Speicher
Zelle
MOS-FET
Speicherzelle
Elektrode
Programmierung
Floating-Gate-Struktur
Transistor
n-Kanal-FET
Speicher
MOS-Speicher
Nichtflüchtiger Speicher
Flash-Speicher
Elektrischer Speicher
Speicherzelle
Speicherung
Speicherschaltung
Speicherkapazität
Speicherelement
Feldeffekttransistor
MOS-FET
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Dresden
- (who)
-
Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
- (when)
-
2012
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Dresden
- (who)
-
Technische Universität Dresden
- (when)
-
2012
- Creator
- Contributor
-
Mikolajick, Thomas
Meinerzhagen, B.
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-84301
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
15.08.2025, 7:39 AM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Melde, Thomas
- Mikolajick, Thomas
- Meinerzhagen, B.
- Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
- Technische Universität Dresden
Time of origin
- 2012
Other Objects (12)
Kombination Resistiver und Ferroelektrischer Schaltmechanismen in HfO2-basierten Bauelementen
Entwicklung und Herstellung von GaN-basierten Sperrschicht-Feldeffekttransistoren mit vertikalem Kanal
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
Towards non-volatility in quantum-dot-based memories
Vertical Gallium Nitride Power Devices : Fabrication and Characterisation
Replacing Beryllium: Novel Graphenic Carbon X-ray Transmission Windows
One dimensional (1D) nanostructured silicon as anode for rechargeable lithium-ion batteries
An improved ferroelectric H f₀.₅Zr₀.₅O₂ via La₂O₃ doping and interface engineering
Reconfigurable field-effect transistors based on wet-chemically etched silicon nanostructures
Untersuchung einer Herstellungstechnologie für Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren
Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen
Spatially resolved studies of the leakage current behavior of oxide thin-films
Kombination Resistiver und Ferroelektrischer Schaltmechanismen in HfO2-basierten Bauelementen
Entwicklung und Herstellung von GaN-basierten Sperrschicht-Feldeffekttransistoren mit vertikalem Kanal
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
Towards non-volatility in quantum-dot-based memories
Vertical Gallium Nitride Power Devices : Fabrication and Characterisation
Replacing Beryllium: Novel Graphenic Carbon X-ray Transmission Windows
One dimensional (1D) nanostructured silicon as anode for rechargeable lithium-ion batteries
An improved ferroelectric H f₀.₅Zr₀.₅O₂ via La₂O₃ doping and interface engineering
Reconfigurable field-effect transistors based on wet-chemically etched silicon nanostructures
Untersuchung einer Herstellungstechnologie für Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren
Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen
Spatially resolved studies of the leakage current behavior of oxide thin-films
Kombination Resistiver und Ferroelektrischer Schaltmechanismen in HfO2-basierten Bauelementen
Entwicklung und Herstellung von GaN-basierten Sperrschicht-Feldeffekttransistoren mit vertikalem Kanal
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
Towards non-volatility in quantum-dot-based memories
Vertical Gallium Nitride Power Devices : Fabrication and Characterisation
Replacing Beryllium: Novel Graphenic Carbon X-ray Transmission Windows
One dimensional (1D) nanostructured silicon as anode for rechargeable lithium-ion batteries
An improved ferroelectric H f₀.₅Zr₀.₅O₂ via La₂O₃ doping and interface engineering
Reconfigurable field-effect transistors based on wet-chemically etched silicon nanostructures
Untersuchung einer Herstellungstechnologie für Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren
Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen