Hochschulschrift
Zur koordinativen Absättigung der Elemente Mg, Al Ge(II) [Ge] und Sn(II) [Sn] in molekularen Polycyclen
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
125, [30] S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1985
- Keyword
-
Magnesiumverbindungen
Aluminiumverbindungen
Germaniumverbindungen
Zinnverbindungen
Polyzyklische Verbindungen
Magnesiumverbindungen
Aluminiumverbindungen
Germaniumverbindungen
Zinnverbindungen
Polyzyklische Gruppe
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.03.2025, 11:56 AM CET
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
Other Objects (12)
![Synthesen und Strukturen von speziellen Ge(II)- [Ge-] und Sn(II)-Chelaten [Sn-Chelaten]](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
Synthesen und Strukturen von speziellen Ge(II)- [Ge-] und Sn(II)-Chelaten [Sn-Chelaten]
Molekularstrahlepitaxie von isotopenreinen Ge- und α-Sn/Ge-Heterostrukturen [Alpha-Sn/Ge-Heterostrukturen]
Si/Ge- und Ge/α-Sn-Übergitter [Ge-alpha-Sn-Übergitter] : Herstellung und transmissionselektronenmikroskopische Charakterisierung
Ramanstreuung an α-Sn [alpha-Sn], Si und Ge Übergittern
Structural Property Study for GeSn Thin Films
Subvalente Hauptgruppenmetallverbindungen Thiolato- und Selenolatokomplexe von Ge(II), Sn(II) und Pb(II)
Vertical GeSn nanowire MOSFETs for CMOS beyond silicon
Mischkristallbildung metallreicher Legierungen der Systeme As2-GeTe, Sb2-GeTe bzw. SnTe.
Thermodynamische Untersuchungen in den Systemen Sb-Sn, Al-Mg-Pb, Al-Mg-Sn und Mg-Pb-Sn zur Ermittlung von Assoziationsgleichgewichten in der Schmelze
Über die Struktur von (C6H5)6M2 (M = Pb, Sn, Ge) und (C6H5)3MX (M = Pb, Sn; X = Cl, Br. M = Ge; X = Cl)
Group IV (Si)GeSn light emission and lasing studies
Design and modeling of group IV (Si)GeSn lasers
Synthesen und Strukturen von speziellen Ge(II)- [Ge-] und Sn(II)-Chelaten [Sn-Chelaten]
Molekularstrahlepitaxie von isotopenreinen Ge- und α-Sn/Ge-Heterostrukturen [Alpha-Sn/Ge-Heterostrukturen]
Si/Ge- und Ge/α-Sn-Übergitter [Ge-alpha-Sn-Übergitter] : Herstellung und transmissionselektronenmikroskopische Charakterisierung
Ramanstreuung an α-Sn [alpha-Sn], Si und Ge Übergittern
Structural Property Study for GeSn Thin Films
Subvalente Hauptgruppenmetallverbindungen Thiolato- und Selenolatokomplexe von Ge(II), Sn(II) und Pb(II)
Vertical GeSn nanowire MOSFETs for CMOS beyond silicon
Mischkristallbildung metallreicher Legierungen der Systeme As2-GeTe, Sb2-GeTe bzw. SnTe.
Thermodynamische Untersuchungen in den Systemen Sb-Sn, Al-Mg-Pb, Al-Mg-Sn und Mg-Pb-Sn zur Ermittlung von Assoziationsgleichgewichten in der Schmelze
Über die Struktur von (C6H5)6M2 (M = Pb, Sn, Ge) und (C6H5)3MX (M = Pb, Sn; X = Cl, Br. M = Ge; X = Cl)
Group IV (Si)GeSn light emission and lasing studies
Design and modeling of group IV (Si)GeSn lasers
Synthesen und Strukturen von speziellen Ge(II)- [Ge-] und Sn(II)-Chelaten [Sn-Chelaten]
Molekularstrahlepitaxie von isotopenreinen Ge- und α-Sn/Ge-Heterostrukturen [Alpha-Sn/Ge-Heterostrukturen]
Si/Ge- und Ge/α-Sn-Übergitter [Ge-alpha-Sn-Übergitter] : Herstellung und transmissionselektronenmikroskopische Charakterisierung
Ramanstreuung an α-Sn [alpha-Sn], Si und Ge Übergittern
Structural Property Study for GeSn Thin Films
Subvalente Hauptgruppenmetallverbindungen Thiolato- und Selenolatokomplexe von Ge(II), Sn(II) und Pb(II)
Vertical GeSn nanowire MOSFETs for CMOS beyond silicon
Mischkristallbildung metallreicher Legierungen der Systeme As2-GeTe, Sb2-GeTe bzw. SnTe.
Thermodynamische Untersuchungen in den Systemen Sb-Sn, Al-Mg-Pb, Al-Mg-Sn und Mg-Pb-Sn zur Ermittlung von Assoziationsgleichgewichten in der Schmelze
Über die Struktur von (C6H5)6M2 (M = Pb, Sn, Ge) und (C6H5)3MX (M = Pb, Sn; X = Cl, Br. M = Ge; X = Cl)
Group IV (Si)GeSn light emission and lasing studies