Hochschulschrift

Investigation of light induced defects in hydrogenated amorphous silicon by low temperature annealing and pulsed degradation

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
106 S.
Sprache
Englisch
Anmerkungen
graph. Darst.
Marburg, Univ., Diss., 2002

Schlagwort
Silicium
Amorpher Halbleiter
Wasserstoff
Lichtinduzierter Defekt

Urheber

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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:12 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

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