Hochschulschrift
Hochvolt MOS-Transistoren (50V) mit integrierter Temperaturüberwachung zur Realisierung mit einem 0,18µm CMOS-Prozess
- Weitere Titel
-
High voltage MOS-transistors (50V) with integrated temperature control for realization with an 0.18µm CMOS process
My-m
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Universität Erlangen-Nürnberg, Diss., 2011
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Temperaturmessung
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Erlangen
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der Universität Erlangen-Nürnberg
- (wann)
-
2011
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Stoisiek, Michael
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus-26857
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:21 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Groß, Michael
- Stoisiek, Michael
- Universitätsbibliothek der Universität Erlangen-Nürnberg
Entstanden
- 2011
Ähnliche Objekte (12)
Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors
Arbeitspunktabhängigkeit des 1/f-Rauschens [f-Rauschens] integrierter MOS-Transistoren
Eindimensionale CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : - CMOS-Schaltkreise -
Eindimensionale CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
Entwurf kundenspezifischer integrierter MOS-Schaltungen
Elektronenstrahltesten passivierter integrierter MOS-Bausteine
Voraussetzungen für die Fertigung von 50 V MOS-Transistoren in einem Sub-Micron CMOS-Prozess
Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen
Layoutabhängige Fehleranalyse und Testsynthese integrierter CMOS-Schaltungen
2-D-CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
2-D-CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors
Arbeitspunktabhängigkeit des 1/f-Rauschens [f-Rauschens] integrierter MOS-Transistoren
Eindimensionale CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : - CMOS-Schaltkreise -
Eindimensionale CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
Entwurf kundenspezifischer integrierter MOS-Schaltungen
Elektronenstrahltesten passivierter integrierter MOS-Bausteine
Voraussetzungen für die Fertigung von 50 V MOS-Transistoren in einem Sub-Micron CMOS-Prozess
Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen
Layoutabhängige Fehleranalyse und Testsynthese integrierter CMOS-Schaltungen
2-D-CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
2-D-CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
Study of the radiation damage in analog CMOS pipelines, MOS transistors, and MOS capacitors
Arbeitspunktabhängigkeit des 1/f-Rauschens [f-Rauschens] integrierter MOS-Transistoren
Eindimensionale CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : - CMOS-Schaltkreise -
Eindimensionale CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung
Entwurf kundenspezifischer integrierter MOS-Schaltungen
Elektronenstrahltesten passivierter integrierter MOS-Bausteine
Voraussetzungen für die Fertigung von 50 V MOS-Transistoren in einem Sub-Micron CMOS-Prozess
Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen
Layoutabhängige Fehleranalyse und Testsynthese integrierter CMOS-Schaltungen
2-D-CMOS-Bildsensorik mit integrierter Signalverarbeitung