Hochschulschrift

Assessment and application of defect characterization via lifetime spectroscopy in high purity c-Si

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783839619179
3839619173
Maße
21 cm
Umfang
172 Seiten
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Illustrationen
Universität Konstanz, Dissertation, 2022

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Siliciumhalbleiter
Dotierung
Gallium
Defektelektron
Lebensdauerspektroskopie

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Stuttgart, Germany
(wer)
Fraunhofer Verlag
(wann)
[2023]
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Fraunhofer IRB-Verlag
Fraunhofer ISE, Freiburg

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:49 MESZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • [2023]

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