Hochschulschrift
Herstellung und Optimierung von Hetero-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in integrierten optischen Empfängern im Wellenlängenbereich von 1,3 bis 1,55 μm
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783181437094
3181437093
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
V, 131 S.
- Edition
-
Als Ms. gedr.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss.
- Bibliographic citation
-
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 137, Reihe 9
- Keyword
-
Photodetektor
Integrierte Optoelektronik
Heterobipolartransistor
Breitband-ISDN
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Düsseldorf
- (who)
-
VDI-Verl.
- (when)
-
1992
- Creator
-
Pitz, Gerhard
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:25 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Pitz, Gerhard
- VDI-Verl.
Time of origin
- 1992
Other Objects (12)
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
Großsignalmodell für GaAs Hetero-Bipolar-Transistoren für Leistungsanwendungen in der Mobilkommunikation
Transistor dictionary : bipolar transistors ; Datenvergleichstabellen Michael Welter
Ein Großsignal-Modell des SiGe-Hetero-Bipolar-Transistors für den Entwurf monolithisch integrierter Mikrowellen-Schaltungen
Entwicklung eines miniaturisierten Spektrometers für den optischen Wellenlängenbereich
Niedertemperatur-Gallium-Arsenid-Hetero-Feld-Effekt-Transistor
Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
High frequency bipolar transistors : physics, modeling, applications
Selbstschwingende Mischstufen mit Bipolar-Transistoren im Mikrowellenbereich
InP-InGaAs single hetero-junction bipolar transistors for integrated photoreceivers operating at 40 Gb-s and beyond
Advanced modeling of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
Geregelte Ansteuerung von insulated gate bipolar Transistoren (IGBT)
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
Großsignalmodell für GaAs Hetero-Bipolar-Transistoren für Leistungsanwendungen in der Mobilkommunikation
Transistor dictionary : bipolar transistors ; Datenvergleichstabellen Michael Welter
Ein Großsignal-Modell des SiGe-Hetero-Bipolar-Transistors für den Entwurf monolithisch integrierter Mikrowellen-Schaltungen
Entwicklung eines miniaturisierten Spektrometers für den optischen Wellenlängenbereich
Niedertemperatur-Gallium-Arsenid-Hetero-Feld-Effekt-Transistor
Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
High frequency bipolar transistors : physics, modeling, applications
Selbstschwingende Mischstufen mit Bipolar-Transistoren im Mikrowellenbereich
InP-InGaAs single hetero-junction bipolar transistors for integrated photoreceivers operating at 40 Gb-s and beyond
Advanced modeling of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
Geregelte Ansteuerung von insulated gate bipolar Transistoren (IGBT)
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
Großsignalmodell für GaAs Hetero-Bipolar-Transistoren für Leistungsanwendungen in der Mobilkommunikation
Transistor dictionary : bipolar transistors ; Datenvergleichstabellen Michael Welter
Ein Großsignal-Modell des SiGe-Hetero-Bipolar-Transistors für den Entwurf monolithisch integrierter Mikrowellen-Schaltungen
Entwicklung eines miniaturisierten Spektrometers für den optischen Wellenlängenbereich
Niedertemperatur-Gallium-Arsenid-Hetero-Feld-Effekt-Transistor
Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
High frequency bipolar transistors : physics, modeling, applications
Selbstschwingende Mischstufen mit Bipolar-Transistoren im Mikrowellenbereich
InP-InGaAs single hetero-junction bipolar transistors for integrated photoreceivers operating at 40 Gb-s and beyond
Advanced modeling of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors