Design, Epitaxie und Charakterisierung AlGaN-basierter Leuchtdioden mit Emissionswellenlängen unterhalb von 250 nm

Alternative title
Design, epitaxy and characterization of AlGaN-based light emitting diodes with emission wavelenghts below 250 nm
Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Deutsch
Notes
Berlin, Technische Universität Berlin, Dissertation, 2017

Classification
Physik
Keyword
Kneissl, Max
Lumineszenzdiode
Heterostruktur
Epitaxie

Event
Veröffentlichung
(where)
Berlin
(who)
Technische Universität Berlin
(when)
2017
Creator
Contributor
Kneissl, Michael
Heuken, Michael
Weyers, Markus

DOI
10.14279/depositonce-6147
Handle
11303/6709
URN
urn:nbn:de:101:1-201804134865
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
14.08.2025, 10:45 AM CEST

Data provider

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Time of origin

  • 2017

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