Vertical Ge/SiGeSn-based p-channel nano field-effect transistors integrated on Si
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Stuttgart, Universität Stuttgart, Dissertation, 2020
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Stuttgart
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
- (wann)
-
2020
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Schulze, Jörg
- DOI
-
10.18419/opus-10786
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-108033
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:46 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Elogail, Yasmine
- Schulze, Jörg
- Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
Entstanden
- 2020
Ähnliche Objekte (12)
Si/SiGe-based gate-normal tunneling field-effect transistors
Advanced GeSn/SiGeSn Group IV Heterostructure Lasers
![Si/Ge- und Ge/α-Sn-Übergitter [Ge-alpha-Sn-Übergitter] : Herstellung und transmissionselektronenmikroskopische Charakterisierung](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
Si/Ge- und Ge/α-Sn-Übergitter [Ge-alpha-Sn-Übergitter] : Herstellung und transmissionselektronenmikroskopische Charakterisierung
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Reconfigurable Field‐Effect Transistor Technology via Heterogeneous Integration of SiGe with Crystalline Al Contacts
Ramanstreuung an α-Sn [alpha-Sn], Si und Ge Übergittern
Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices
Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices
Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate
Investigation of carrier confinement in direct bandgap GeSn/SiGeSn 2D and 0D heterostructures
Si/SiGe-basierende Phototransistoren
Si/SiGe-based gate-normal tunneling field-effect transistors
Advanced GeSn/SiGeSn Group IV Heterostructure Lasers
Si/Ge- und Ge/α-Sn-Übergitter [Ge-alpha-Sn-Übergitter] : Herstellung und transmissionselektronenmikroskopische Charakterisierung
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Reconfigurable Field‐Effect Transistor Technology via Heterogeneous Integration of SiGe with Crystalline Al Contacts
Ramanstreuung an α-Sn [alpha-Sn], Si und Ge Übergittern
Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices
Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices
Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate
Investigation of carrier confinement in direct bandgap GeSn/SiGeSn 2D and 0D heterostructures
Si/SiGe-basierende Phototransistoren
Si/SiGe-based gate-normal tunneling field-effect transistors
Advanced GeSn/SiGeSn Group IV Heterostructure Lasers
Si/Ge- und Ge/α-Sn-Übergitter [Ge-alpha-Sn-Übergitter] : Herstellung und transmissionselektronenmikroskopische Charakterisierung
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Reconfigurable Field‐Effect Transistor Technology via Heterogeneous Integration of SiGe with Crystalline Al Contacts
Ramanstreuung an α-Sn [alpha-Sn], Si und Ge Übergittern
Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices
Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices
Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate
Investigation of carrier confinement in direct bandgap GeSn/SiGeSn 2D and 0D heterostructures