Hochschulschrift
Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783868451238
3868451234
- Maße
-
24 cm, 408 g
- Umfang
-
VI, 156 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Regensburg, Univ., Diss., 2015
- Erschienen in
-
Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg / Universität Regensburg ; Bd. 45
- Schlagwort
-
Silicium
Germanium
Heterostruktur
Feldeffekt
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Regensburg
- (wer)
-
Univ.-Verl. Regensburg
- (wann)
-
2015
- Urheber
-
Schmalzbauer, Michael
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:23 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Schmalzbauer, Michael
- Univ.-Verl. Regensburg
Entstanden
- 2015
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