ASi-Sii defect model of light-induced degradation (LID) in silicon: a discussion and review
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource, 10 Seiten
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
In: Physica status solidi(219), H. 19 - ISSN 1521-396X
In: Wiley-VCH, Weinheim
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Ilmenau
- (wer)
-
TU Ilmenau
- (wann)
-
2022
- Urheber
- DOI
-
10.1002/pssa.202200099
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2022120502062895620400
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:33 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
Entstanden
- 2022
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