High‐Temperature Annealing of Si‐Doped AlGaN

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
High‐Temperature Annealing of Si‐Doped AlGaN ; day:31 ; month:01 ; year:2024 ; extent:9
Physica status solidi / A. A, Applications and materials science ; (31.01.2024) (gesamt 9)

Creator
Zainal, Norzaini
Hagedorn, Sylvia
Netzel, Carsten
Kolbe, Tim
Weyers, Markus

DOI
10.1002/pssa.202300897
URN
urn:nbn:de:101:1-2024020114310772712789
Rights
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.08.2025, 7:22 AM CEST

Data provider

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  • Zainal, Norzaini
  • Hagedorn, Sylvia
  • Netzel, Carsten
  • Kolbe, Tim
  • Weyers, Markus

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