Hochschulschrift
The role of interface and exchange processes in forming and switching of ZrO2 based ReRAM devices
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783844074444
3844074449
- Dimensions
-
24 cm, 207 g
- Extent
-
10 ungezählte, 128 Seiten
- Language
-
Englisch
- Notes
-
Illustrationen
RWTH Aachen University, Dissertation, 2020
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
Resistive RAM
Zirkoniumdioxid
Stoffeigenschaft
Elektrode
Oxidschicht
Schichtdicke
Resistives Schalten
Strom-Spannungs-Kennlinie
Widerstand
Photoemissionselektronenmikroskopie
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Düren
- (who)
-
Shaker Verlag
- (when)
-
2020
- Creator
- Contributor
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:48 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Kindsmüller, Andreas
- Shaker Verlag
- Shaker Verlag
Time of origin
- 2020
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Eigenspannungen in mikrowellengesinterten Ni/8Y-ZrO2 und NiCr8020/8Y-ZrO2 Gradientenwerkstoffen
![Temperaturwechselbeständiges feinporöses MgO-teilstabilisiertes ZrO2 [ZrO]](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
Temperaturwechselbeständiges feinporöses MgO-teilstabilisiertes ZrO2 [ZrO]
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Herstellung keramischer Nanofiltrationsmembranen aus ZrO2 und TiO2
Untersuchungen zur Druck- und Temperaturpolymorphie von reinem und dotiertem ZrO2 [ZrO]
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Elektronenspektroskopie an freien Oberflächen und Elektroden von stabilisiertem ZrO2
Mechanisches Verhalten beim Sintern : Diffusionsmodelle und Verifikation an ZrO2
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