The role of interface and exchange processes in forming and switching of $ZrO_2}$ ZrO2 based ReRAM devices
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
RWTH Aachen University, Dissertation, 2020
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Resistives Schalten
Schichtdicke
Zirkoniumdioxid
Widerstand
Oxidschicht
Resistive RAM
Photoemissionselektronenmikroskopie
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
- (wann)
-
2020
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- DOI
-
10.18154/RWTH-2020-07858
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2023032902385560090380
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:42 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Kindsmüller, Andreas
- Waser, Rainer
- Knoch, Joachim
- Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Entstanden
- 2020
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