Hochschulschrift

The role of interface and exchange processes in forming and switching of ZrO2 based ReRAM devices

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783844074444
3844074449
Maße
24 cm, 207 g
Umfang
10 ungezählte, 128 Seiten
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Illustrationen
RWTH Aachen University, Dissertation, 2020

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Resistive RAM
Zirkoniumdioxid
Stoffeigenschaft
Elektrode
Oxidschicht
Schichtdicke
Resistives Schalten
Strom-Spannungs-Kennlinie
Widerstand
Photoemissionselektronenmikroskopie

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Düren
(wer)
Shaker Verlag
(wann)
2020
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:48 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2020

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