Hochschulschrift
The role of interface and exchange processes in forming and switching of ZrO2 based ReRAM devices
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783844074444
3844074449
- Maße
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24 cm, 207 g
- Umfang
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10 ungezählte, 128 Seiten
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Illustrationen
RWTH Aachen University, Dissertation, 2020
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
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Resistive RAM
Zirkoniumdioxid
Stoffeigenschaft
Elektrode
Oxidschicht
Schichtdicke
Resistives Schalten
Strom-Spannungs-Kennlinie
Widerstand
Photoemissionselektronenmikroskopie
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Düren
- (wer)
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Shaker Verlag
- (wann)
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2020
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 13:48 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Kindsmüller, Andreas
- Shaker Verlag
- Shaker Verlag
Entstanden
- 2020