Hochschulschrift
Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium an Hand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
149 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Kassel, Gesamthochsch., Diss., 1987
- Schlagwort
-
Halbleiterbauelemente
Silizium
Gitterfehler
Halbleiterbauelement
Silicium
Gitterbaufehler
- Urheber
-
Cohausz, Ludwig
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:48 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Cohausz, Ludwig
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