Hochschulschrift
Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Dresden, Techn. Univ., Diss., 2006
- Keyword
-
Energielücke ; Femtosekunde ; Galliumarsenid ; Implantation ; Ladungsträger ; Reduktion ; Relaxation ; Stickstoff
- Creator
- URN
-
urn:nbn:de:swb:14-1144482170985-90756
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
25.03.2025, 1:45 PM CET
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
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