Hochschulschrift
Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
In: Wissenschaftlich-Technische Berichte / Forschungszentrum Rossendorf; FZR-450 2006
- Erschienen in
-
Wissenschaftlich-technische Berichte ; FZR-450
- Schlagwort
-
Energielücke
Ladungsträger
Ionenimplantation
Stickstoff
Galliumarsenid
Halbleiter
Energielücke ; Femtosekunde ; Galliumarsenid ; Implantation ; Ladungsträger ; Reduktion ; Relaxation ; Stickstoff
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Dresden, Dresden
- (wer)
-
Forschungszentrum Dresden, Forschungszentrum Rossendorf
- (wann)
-
2010
- Urheber
-
Sinning, S.
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:d120-qucosa-28500
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:50 MEZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Sinning, S.
- Forschungszentrum Dresden, Forschungszentrum Rossendorf
Entstanden
- 2010
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