Hochschulschrift

Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Dresden, Techn. Univ., Diss., 2006

Schlagwort
Energielücke ; Femtosekunde ; Galliumarsenid ; Implantation ; Ladungsträger ; Reduktion ; Relaxation ; Stickstoff

Urheber

URN
urn:nbn:de:swb:14-1144482170985-90756
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:45 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

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