Hochschulschrift
Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Dresden, Techn. Univ., Diss., 2006
- Schlagwort
-
Energielücke ; Femtosekunde ; Galliumarsenid ; Implantation ; Ladungsträger ; Reduktion ; Relaxation ; Stickstoff
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:swb:14-1144482170985-90756
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:45 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
Ähnliche Objekte (12)
Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Spin injection into GaAs
Spin injection into GaAs
Laserstimulierte Epitaxie von GaAs
Ultraschnelle Ladungsträger- und Gitterdynamik in GaN- und GaAs-basierten Übergittern
Terahertzfeld-induzierte Stoßionisationslawinen in GaAs
Organic modified GaAs Schottky contacts
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
Development of GaAs pixel detectors
Spin noise spectroscopy in GaAs
Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs
Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Spin injection into GaAs
Spin injection into GaAs
Laserstimulierte Epitaxie von GaAs
Ultraschnelle Ladungsträger- und Gitterdynamik in GaN- und GaAs-basierten Übergittern
Terahertzfeld-induzierte Stoßionisationslawinen in GaAs
Organic modified GaAs Schottky contacts
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
Development of GaAs pixel detectors
Spin noise spectroscopy in GaAs
Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs
Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Spin injection into GaAs
Spin injection into GaAs
Laserstimulierte Epitaxie von GaAs
Ultraschnelle Ladungsträger- und Gitterdynamik in GaN- und GaAs-basierten Übergittern
Terahertzfeld-induzierte Stoßionisationslawinen in GaAs
Organic modified GaAs Schottky contacts
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
Development of GaAs pixel detectors
Spin noise spectroscopy in GaAs