High Breakdown Voltage and Low Dynamic ON-Resistance AlGaN/GaN HEMT with Fluorine Ion Implantation in SiNx Passivation Layer
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
1556-276X
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
High Breakdown Voltage and Low Dynamic ON-Resistance AlGaN/GaN HEMT with Fluorine Ion Implantation in SiNx Passivation Layer ; volume:14 ; number:1 ; day:4 ; month:6 ; year:2019 ; pages:1-6 ; date:12.2019
Nanoscale research letters ; 14, Heft 1 (4.6.2019), 1-6, 12.2019
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Urheber
-
Yang, Chao
Luo, Xiaorong
Sun, Tao
Zhang, Anbang
Ouyang, Dongfa
Deng, Siyu
Wei, Jie
Zhang, Bo
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1186/s11671-019-3025-8
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2019092404404698536088
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:38 MESZ
Datenpartner
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Beteiligte
- Yang, Chao
- Luo, Xiaorong
- Sun, Tao
- Zhang, Anbang
- Ouyang, Dongfa
- Deng, Siyu
- Wei, Jie
- Zhang, Bo
- SpringerLink (Online service)
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