Hochschulschrift
Comprehensive study on MOVPE of InAlN/GaN HEMT structures and GaN nanowires
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2013
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Drei-Fünf-Halbleiter , Galliumnitrid , HEMT , MOCVD-Verfahren
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Hochschulbibliothek der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen
- (wann)
-
2013
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:82-opus-45422
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:58 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Behmenburg, Hannes
- Hochschulbibliothek der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen
Entstanden
- 2013
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