Hochschulschrift
Elektrisch aktive tiefe Zentren bei der Epitaxie von GaAs auf Fremdsubstraten
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826501449
3826501446
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
164 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 1994
- Schlagwort
-
Galliumarsenid
Heteroepitaxie
Tiefe Störstelle
DLTS
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:53 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Kürner, Wolfgang
- Shaker
Entstanden
- 1994
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