Hochschulschrift
Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
287 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Marburg, Univ., Diss., 2004
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Drei-Fünf-Halbleiter
Laserdiode
Grenzfläche
Epitaxie ; Drei-Fünf-Halbleiter ; Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall ; Metastabilität ; Laserdiode ; VCSEL-Laser ; Lithographie
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:13 MESZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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