Monografie
Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)-(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)-(NAs)-Laserdioden
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Marburg, Univ., Diss., 2004
- Identifier
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975256750
Thema
Drei-Fünf-Halbleiter ; Laserdiode ; Grenzfläche ; Epitaxie ; Drei-Fünf-Halbleiter ; Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall ; Metastabilität ; Laserdiode ; VCSEL-Laser ; Lithographie; Hochschulschrift; Online-Publikation
Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:54 MEZ
Objekttyp
- Monografie
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