Hochschulschrift | Online-Publikation
Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)-(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)-(NAs)-Laserdioden
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Marburg, Univ., Diss., 2004
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Drei-Fünf-Halbleiter
Laserdiode
Grenzfläche
Epitaxie ; Drei-Fünf-Halbleiter ; Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall ; Metastabilität ; Laserdiode ; VCSEL-Laser ; Lithographie
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:hebis:04-z2005-00841
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:34 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
- Online-Publikation
Beteiligte
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