Detailed study on MOCVD of wafer-scale MoS2 monolayers : From nucleation to coalescence
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Englisch
- Bibliographic citation
-
In: 10.1557/s43580-022-00312-4
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Aachen
- (who)
-
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
- (when)
-
2022
- Creator
-
Tang, Songyao
Grundmann, Annika Olivia
Fiadziushkin, Hleb
Ghiami, Amir
Heuken, Michael
Vescan, Andrei
Kalisch, Holger
- DOI
-
10.18154/RWTH-2022-07939
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2022082501381163687003
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
15.08.2025, 7:32 AM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Associated
- Tang, Songyao
- Grundmann, Annika Olivia
- Fiadziushkin, Hleb
- Ghiami, Amir
- Heuken, Michael
- Vescan, Andrei
- Kalisch, Holger
- Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Time of origin
- 2022
Other Objects (12)
Detailed study on MOCVD of wafer-scale MoS2 monolayers: From nucleation to coalescence
Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten
Impact of carbon impurities on air stability of MOCVD 2D-MoS2
Comparison of MOCVD and MBE Regrowth for CAVET Fabrication
Normally-off transistor topologies in gallium nitride technology
Ternäre Oxide zur Passivierung von GaN-basierten elektronischen Bauelementen
Polarization-optimized heterostructures with quaternary AlInGaN layers for novel group III nitride devices
Entwicklung von Gasphasendepositionsprozessen zur Herstellung von Übergangsmetalldichalkogenid-Monolagen und Heterostrukturen für optoelektronische Bauelemente
Graphene integrated circuits for micro- and millimetre-wave applications
Entwicklung eines Gasphasendepositionsprozesses für zweidimensionale Übergangsmetalldichalkogenide
Investigation of AlN/GaN superlattices and their application to group III nitride devices
Ladungsträgerdynamik in Graphen
Detailed study on MOCVD of wafer-scale MoS2 monolayers: From nucleation to coalescence
Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten
Impact of carbon impurities on air stability of MOCVD 2D-MoS2
Comparison of MOCVD and MBE Regrowth for CAVET Fabrication
Normally-off transistor topologies in gallium nitride technology
Ternäre Oxide zur Passivierung von GaN-basierten elektronischen Bauelementen
Polarization-optimized heterostructures with quaternary AlInGaN layers for novel group III nitride devices
Entwicklung von Gasphasendepositionsprozessen zur Herstellung von Übergangsmetalldichalkogenid-Monolagen und Heterostrukturen für optoelektronische Bauelemente
Graphene integrated circuits for micro- and millimetre-wave applications
Entwicklung eines Gasphasendepositionsprozesses für zweidimensionale Übergangsmetalldichalkogenide
Investigation of AlN/GaN superlattices and their application to group III nitride devices
Ladungsträgerdynamik in Graphen
Detailed study on MOCVD of wafer-scale MoS2 monolayers: From nucleation to coalescence
Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten
Impact of carbon impurities on air stability of MOCVD 2D-MoS2
Comparison of MOCVD and MBE Regrowth for CAVET Fabrication
Normally-off transistor topologies in gallium nitride technology
Ternäre Oxide zur Passivierung von GaN-basierten elektronischen Bauelementen
Polarization-optimized heterostructures with quaternary AlInGaN layers for novel group III nitride devices
Entwicklung von Gasphasendepositionsprozessen zur Herstellung von Übergangsmetalldichalkogenid-Monolagen und Heterostrukturen für optoelektronische Bauelemente
Graphene integrated circuits for micro- and millimetre-wave applications
Entwicklung eines Gasphasendepositionsprozesses für zweidimensionale Übergangsmetalldichalkogenide
Investigation of AlN/GaN superlattices and their application to group III nitride devices