- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Growth and Properties of Intentionally Carbon‐Doped GaN Layers ; volume:55 ; number:2 ; year:2020 ; extent:7
Crystal research and technology ; 55, Heft 2 (2020) (gesamt 7)
- Urheber
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Richter, Eberhard
Beyer, Franziska C.
Zimmermann, Friederike
Gärtner, Günter
Irmscher, Klaus
Gamov, Ivan
Heitmann, Johannes
Weyers, Markus
Tränkle, Günther
- DOI
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10.1002/crat.201900129
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2022070611094792554577
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.08.2025, 07:37 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Richter, Eberhard
- Beyer, Franziska C.
- Zimmermann, Friederike
- Gärtner, Günter
- Irmscher, Klaus
- Gamov, Ivan
- Heitmann, Johannes
- Weyers, Markus
- Tränkle, Günther