Growth and Properties of Intentionally Carbon‐Doped GaN Layers

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
Growth and Properties of Intentionally Carbon‐Doped GaN Layers ; volume:55 ; number:2 ; year:2020 ; extent:7
Crystal research and technology ; 55, Heft 2 (2020) (gesamt 7)

Urheber
Richter, Eberhard
Beyer, Franziska C.
Zimmermann, Friederike
Gärtner, Günter
Irmscher, Klaus
Gamov, Ivan
Heitmann, Johannes
Weyers, Markus
Tränkle, Günther

DOI
10.1002/crat.201900129
URN
urn:nbn:de:101:1-2022070611094792554577
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:37 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Richter, Eberhard
  • Beyer, Franziska C.
  • Zimmermann, Friederike
  • Gärtner, Günter
  • Irmscher, Klaus
  • Gamov, Ivan
  • Heitmann, Johannes
  • Weyers, Markus
  • Tränkle, Günther

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