Growth and Properties of Intentionally Carbon‐Doped GaN Layers

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
Growth and Properties of Intentionally Carbon‐Doped GaN Layers ; volume:55 ; number:2 ; year:2020 ; extent:7
Crystal research and technology ; 55, Heft 2 (2020) (gesamt 7)

Creator
Richter, Eberhard
Beyer, Franziska C.
Zimmermann, Friederike
Gärtner, Günter
Irmscher, Klaus
Gamov, Ivan
Heitmann, Johannes
Weyers, Markus
Tränkle, Günther

DOI
10.1002/crat.201900129
URN
urn:nbn:de:101:1-2022070611094792554577
Rights
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.08.2025, 7:37 AM CEST

Data provider

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  • Richter, Eberhard
  • Beyer, Franziska C.
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  • Irmscher, Klaus
  • Gamov, Ivan
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