Hochschulschrift
Herstellung und Charakterisierung von GaN-basierenden Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
II, 171 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Ulm, Univ., Diss., 2002
- Classification
-
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
- Keyword
-
Galliumnitrid
Feldeffekttransistor
Heterostruktur-Bauelement
Aluminiumnitrid
Feldeffekttransistor
Galliumnitrid
HEMT
Hochtemperaturelektronik
Indiumnitrid
Leistungselektronik
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.06.2025, 1:50 PM CEST
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Object type
- Hochschulschrift
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