Hochschulschrift

Wachstum und Charakterisierung von GaInNAs-basierenden Halbleiterstrukturen für Laseranwendungen in der optischen Telekommunikation

Weitere Titel
Growth and characterization of GaInNAs-based semiconductor structures for laser applications in optical communication
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Würzburg, Universität Würzburg, Diss., 2013

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Halbleiterlaser ; Galliumarsenid ; Optoelektronik ; Molekularstrahlepitaxie ; Telekommunikation ; Hochleistungslaser ; Dauerstrichbetrieb ; Nitride

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Würzburg
(wer)
Universitätsbibliothek der Universität Würzburg
(wann)
2013
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Forchel, Alfred

URN
urn:nbn:de:bvb:20-opus-77538
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 08:56 UTC

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Bisping, Dirk
  • Forchel, Alfred
  • Universitätsbibliothek der Universität Würzburg

Entstanden

  • 2013

Ähnliche Objekte (12)