Hochschulschrift
Spatially resolved studies of the leakage current behavior of oxide thin-films
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Englisch
- Notes
-
Berlin, Humboldt Universität zu Berlin, Diss., 2012
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Berlin
- (who)
-
Humboldt Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I
- (when)
-
2013
- Creator
- Contributor
-
Fischer, Saskia F.
Manzke, Recardo
Mikolajick, Thomas
- URN
-
urn:nbn:de:kobv:11-100210319
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
14.08.2025, 10:47 AM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Martin, Christian Dominik
- Fischer, Saskia F.
- Manzke, Recardo
- Mikolajick, Thomas
- Humboldt Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I
Time of origin
- 2013
Other Objects (12)
Spatially resolved studies of the leakage current behavior of oxide thin-films
Dependence of Reverse Leakage on the Edge Termination Process in Vertical GaN Power Device
Towards non-volatility in quantum-dot-based memories
Kombination Resistiver und Ferroelektrischer Schaltmechanismen in HfO2-basierten Bauelementen
One dimensional (1D) nanostructured silicon as anode for rechargeable lithium-ion batteries
Replacing Beryllium: Novel Graphenic Carbon X-ray Transmission Windows
Reconfigurable field-effect transistors based on wet-chemically etched silicon nanostructures
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
Entwicklung und Herstellung von GaN-basierten Sperrschicht-Feldeffekttransistoren mit vertikalem Kanal
Untersuchung einer Herstellungstechnologie für Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren
An improved ferroelectric H f₀.₅Zr₀.₅O₂ via La₂O₃ doping and interface engineering
Vertical Gallium Nitride Power Devices : Fabrication and Characterisation
Spatially resolved studies of the leakage current behavior of oxide thin-films
Dependence of Reverse Leakage on the Edge Termination Process in Vertical GaN Power Device
Towards non-volatility in quantum-dot-based memories
Kombination Resistiver und Ferroelektrischer Schaltmechanismen in HfO2-basierten Bauelementen
One dimensional (1D) nanostructured silicon as anode for rechargeable lithium-ion batteries
Replacing Beryllium: Novel Graphenic Carbon X-ray Transmission Windows
Reconfigurable field-effect transistors based on wet-chemically etched silicon nanostructures
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
Entwicklung und Herstellung von GaN-basierten Sperrschicht-Feldeffekttransistoren mit vertikalem Kanal
Untersuchung einer Herstellungstechnologie für Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren
An improved ferroelectric H f₀.₅Zr₀.₅O₂ via La₂O₃ doping and interface engineering
Vertical Gallium Nitride Power Devices : Fabrication and Characterisation
Spatially resolved studies of the leakage current behavior of oxide thin-films
Dependence of Reverse Leakage on the Edge Termination Process in Vertical GaN Power Device
Towards non-volatility in quantum-dot-based memories
Kombination Resistiver und Ferroelektrischer Schaltmechanismen in HfO2-basierten Bauelementen
One dimensional (1D) nanostructured silicon as anode for rechargeable lithium-ion batteries
Replacing Beryllium: Novel Graphenic Carbon X-ray Transmission Windows
Reconfigurable field-effect transistors based on wet-chemically etched silicon nanostructures
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
Entwicklung und Herstellung von GaN-basierten Sperrschicht-Feldeffekttransistoren mit vertikalem Kanal
Untersuchung einer Herstellungstechnologie für Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren
An improved ferroelectric H f₀.₅Zr₀.₅O₂ via La₂O₃ doping and interface engineering