Hochschulschrift

Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783183241095
3183241099
Maße
21 cm
Umfang
VII, 185 S.
Ausgabe
Als Ms. gedr.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss., 1995

Erschienen in
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 241, Reihe 9

Schlagwort
Optoelektronisches Bauelement
Integrierte Optoelektronik
Drei-Fünf-Halbleiter
Halbleitersubstrat
Siliciumdioxid
CVD-Verfahren

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Düsseldorf
(wer)
VDI-Verl.
(wann)
1996
Urheber
Riemenschneider, Rolf

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:49 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Riemenschneider, Rolf
  • VDI-Verl.

Entstanden

  • 1996

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