Hochschulschrift
Abscheidung Phosphor-dotierter SiO2-Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783183241095
3183241099
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VII, 185 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss., 1995
- Erschienen in
-
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 241, Reihe 9
- Schlagwort
-
Optoelektronisches Bauelement
Integrierte Optoelektronik
Drei-Fünf-Halbleiter
Halbleitersubstrat
Siliciumdioxid
CVD-Verfahren
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Düsseldorf
- (wer)
-
VDI-Verl.
- (wann)
-
1996
- Urheber
-
Riemenschneider, Rolf
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:49 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Riemenschneider, Rolf
- VDI-Verl.
Entstanden
- 1996
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