Theoretical and Experimental Study on AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode on Si Substrate with Double-Heterojunction

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Theoretical and Experimental Study on AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode on Si Substrate with Double-Heterojunction ; volume:15 ; number:1 ; day:16 ; month:7 ; year:2020 ; pages:1-8 ; date:12.2020
Nanoscale research letters ; 15, Heft 1 (16.7.2020), 1-8, 12.2020

Urheber
Sun, Tao
Luo, Xiaorong
Wei, Jie
Yang, Chao
Zhang, Bo
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/s11671-020-03376-z
URN
urn:nbn:de:101:1-2020091220164139979668
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:52 MESZ

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Beteiligte

  • Sun, Tao
  • Luo, Xiaorong
  • Wei, Jie
  • Yang, Chao
  • Zhang, Bo
  • SpringerLink (Online service)

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