Selektives MOVPE-Wachstum von lateralen In1−xGaxAs Nanostrukturen auf Silizium Substraten
- Weitere Titel
-
Selective area MOVPE of lateral In1−xGaxAs nanostructures on silicon substrates
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
RWTH Aachen University, Dissertation, 2019
- Schlagwort
-
Nanostruktur
Nanodraht
Substrat
MOCVD-Verfahren
Bauelement
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
- (wann)
-
2019
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Grützmacher, Detlev
Morgenstern, Markus
- DOI
-
10.18154/RWTH-2020-01642
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2020102806142983763531
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:57 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
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Beteiligte
- Wierzkowski, Thorsten
- Grützmacher, Detlev
- Morgenstern, Markus
- Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Entstanden
- 2019
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