Hochschulschrift
MOVPE-Schichten aus III/V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783183360055
3183360055
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VI, 101 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss.
- Erschienen in
-
Fortschrittberichte VDI / 5 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 360, Reihe 5
- Schlagwort
-
Silicium
Halbleitersubstrat
Indiumphosphid
Dünne Schicht
MOCVD-Verfahren
Silicium
Halbleitersubstrat
Galliumarsenid
Dünne Schicht
MOCVD-Verfahren
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:37 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Tang, Guang-ping
- VDI-Verl.
Entstanden
- 1994
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