Hochschulschrift
Epitaxial growth of Si and 3C-SiC by chemical vapor deposition
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
VII, 96 Bl.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
München, Techn. Univ., Diss., 2002 (Nicht für den Austausch)
- Schlagwort
-
Silicium
Kristallfläche
Siliciumcarbid
CVD-Verfahren
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:25 MESZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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