Monografie

Germaniumeinbau in der 3C-SiC/Si Heteroepitaxie

Sprache
Deutsch
Identifier
1164768506

Thema
Siliciumcarbid; Substrat; Epitaxie; Siliziumkarbid; Heteroepitaxie; Materialwissenschaft; Werkstoffwissenschaften; Wide-gap-Halbleiter; Verbindungshalbleiter; Halbleiter

Beteiligte Personen und Organisationen
Wilhelm, Martin
Wellmann, Peter
Wellmann, Peter

URN
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
26.01.2023, 13:55 MEZ

Objekttyp

  • Monografie

Beteiligte

Ähnliche Objekte (12)