Hochschulschrift
Implantationsfreie Dotierung des Basisanschlusses von Si-, SiGe-Heterobipolartransistoren in Einfach-Polysilizium-Technologie
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783898732741
3898732746
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
VI, 108 S.
- Edition
-
1. Aufl.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Cottbus, Brandenburgische Techn. Univ., Diss., 2001
- Keyword
-
Heterobipolartransistor
npn-Transistor
Silicium
Germanium
Basis
Diffusionsverfahren
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:11 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Schmundt, Holger
- Cuvillier
Time of origin
- 2001
Other Objects (12)
Dichte-Funktional-Ortsraumverfahren zur Gesamtenergieberechnung in Halbleitern : Anwendungen auf Si, Ge, C, SiGe und SiC
Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie an den kristallin-amorphen Grenzflächen c-Si/a-Ge und c-Si/a-SiO2
Magnetotransporteigenschaften von Si-Ge-Heterostrukturen auf Silizium
Si-SiGe HBT ICs for impulse ultra wideband (I-UWB) communications and sensing
2D-Bauelementesimulation der elektrischen Eigenschaften von SiGe-HBTs
24 GHz multi-functional MMICs using SiGe HBTs
Quantenausbeute von Si1-_xGe_x-Solarzellen [Si-1-x-Ge-x-Solarzellen]
Quantenkritikalität im Schwere-Fermionen-System YbRh 2 Si 2 unter Einfluss nicht-isoelektronischer Dotierung
Amorphisierung von α-SiC [alpha-SiC] durch Ionenbestrahlung
SiGe HBT ICs with high operational to transit frequency ratio : design and design re-use
In-situ spektroskopische Untersuchungen an Titanit, CaTiSiO5, und Malayait, CaSnSiO5
Acyclische und cyclische SI-N-Verbindungen : Alkaliderivate, Makrocyclen
Dichte-Funktional-Ortsraumverfahren zur Gesamtenergieberechnung in Halbleitern : Anwendungen auf Si, Ge, C, SiGe und SiC
Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie an den kristallin-amorphen Grenzflächen c-Si/a-Ge und c-Si/a-SiO2
Magnetotransporteigenschaften von Si-Ge-Heterostrukturen auf Silizium
Si-SiGe HBT ICs for impulse ultra wideband (I-UWB) communications and sensing
2D-Bauelementesimulation der elektrischen Eigenschaften von SiGe-HBTs
24 GHz multi-functional MMICs using SiGe HBTs
Quantenausbeute von Si1-_xGe_x-Solarzellen [Si-1-x-Ge-x-Solarzellen]
Quantenkritikalität im Schwere-Fermionen-System YbRh 2 Si 2 unter Einfluss nicht-isoelektronischer Dotierung
Amorphisierung von α-SiC [alpha-SiC] durch Ionenbestrahlung
SiGe HBT ICs with high operational to transit frequency ratio : design and design re-use
In-situ spektroskopische Untersuchungen an Titanit, CaTiSiO5, und Malayait, CaSnSiO5
Acyclische und cyclische SI-N-Verbindungen : Alkaliderivate, Makrocyclen
Dichte-Funktional-Ortsraumverfahren zur Gesamtenergieberechnung in Halbleitern : Anwendungen auf Si, Ge, C, SiGe und SiC
Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie an den kristallin-amorphen Grenzflächen c-Si/a-Ge und c-Si/a-SiO2
Magnetotransporteigenschaften von Si-Ge-Heterostrukturen auf Silizium
Si-SiGe HBT ICs for impulse ultra wideband (I-UWB) communications and sensing
2D-Bauelementesimulation der elektrischen Eigenschaften von SiGe-HBTs
24 GHz multi-functional MMICs using SiGe HBTs
Quantenausbeute von Si1-_xGe_x-Solarzellen [Si-1-x-Ge-x-Solarzellen]
Quantenkritikalität im Schwere-Fermionen-System YbRh 2 Si 2 unter Einfluss nicht-isoelektronischer Dotierung
Amorphisierung von α-SiC [alpha-SiC] durch Ionenbestrahlung
SiGe HBT ICs with high operational to transit frequency ratio : design and design re-use
In-situ spektroskopische Untersuchungen an Titanit, CaTiSiO5, und Malayait, CaSnSiO5