Hochschulschrift

Low temperature surface passivation of crystalline silicon and its application to the rear side of solar cells

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Hannover, Univ., Diss., 2004

Klassifikation
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Schlagwort
Halbleiteroberfläche
Rekombination
Silicium
Polykristall
Passivschicht
PECVD-Verfahren
Solarzelle
Silicium
Rückseite
Passivierung
Niedrigtemperatur
Wirkungsgrad

Urheber

URN
urn:nbn:de:gbv:089-3808016633
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:23 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

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